Concebido como um substituto natural para as tecnologias de memória não-volátil usado por dispositivos móveis atuais existentes, estes relatórios são baseados na tecnologia de cristal em vez de silício.
mudança de fase memória, conhecida pela sigla PCRAM ou PRAM (Phase-Change Random Access Memory) ou também muito comumente por PCM (Phase Change Memory), também responde a outras denominações: OUM (Ovonic Unified Memory), CRAM ou CRAM (Calcogenic RAM).
Ele é à base de uma memória cristais calcogeno, que são aqueles que mudam de forma quando o calor é aplicado. Para mudar de forma, que altera a resistência eléctrica apresentado por estes mesmos cristais, pode então determinar, com base nesta resistência, correspondente a zero e um estados, que são usados pela lógica binária que permite que os dispositivos electrónicos para trabalhar.
No estado amorfo, a resistência é mais elevada, e representa o estado zero, enquanto o estado cristalino é menos resistência e representa um estado binário.
Esta mudança de estado é executada mais rapidamente do que os dispositivos baseados na tecnologia de silício, especialmente quando se trata de escrever, uma operação geralmente mais lento do que a leitura, que também é mais rápido do que em memórias à base de silício.
Esta tecnologia é semelhante ao encontrado nos discos de CD e DVD, e, embora nesses casos o material de base utilizada é a mesma, o qual é tratado, no caso de estes discos são propriedades ópticas, e nenhuma resistência eléctrica.
Outra qualidade que apresentam essas memórias é que a sua vida operacional é mais longa do que a de memórias de silício tradicionais.
Atualmente, os dispositivos de armazenamento que oferece desempenho com base na memória PRAM é comparável ou mesmo inferiores aos de outras tecnologias, como flash, mas o limite superior que é calculada pode chegar é muito maior e é uma tecnologia que agora ele está começando a implementar.