O transistor de efeito de campo (FET – Field Effect Transistor) funciona através de um campo elétrico em sua junção. ... O FET é encontrado em 2 tipos básicos, canal N e canal P. Possuem uma elevada impedância de entrada e ganhos superiores aos transistores bipolares.
O Transistor de Efeito de Campo, FET, possui três terminais como já devemos saber: Dreno, Fonte e Porta. ... Os transistores MOSFET são largamente utilizados em fontes de alimentação como chaveadores, pois sua alta resistência na entrada e seu baixo consumo facilitam tal operação.
A tensão de limiar (Vth) é um dos parâmetros mais básicos de um transistor MOSFET e é definida como a mínima tensão aplicada à porta (VG) necessária para que haja a formação de uma camada de inversão, formada por portadores minoritários, que conecta as regiões de dreno e fonte, permitindo a passagem de corrente.
Em dispositivos JFET canal N, a corrente de dreno (Id) é controlada aplicando-se uma tensão reversa em sua porta-fonte (GATE-SOURCE). Deste modo uma barreira é formada na camada tipo P, expandindo-a e estreitando a passagem da corrente no canal N.
VDS ≡ VD - VS = tensão entre dreno e fonte. ... O FET é um transistor cujo princípio de funcionamento baseia-se no controle que a tensão VGS exerce sobre a corrente ID. Esse controle é semelhante ao tipo de controle de fluxo de fluido em um sistema hidráulico, do tipo ilustrado na Fig. 12.
Os transistores têm duas funções básicas: amplificar a corrente elétrica ou barrar a sua passagem. Quando na função de amplificador, os transistores são alimentados por uma baixa corrente elétrica de entrada, amplificando-a e, assim, produzindo uma corrente elétrica de saída com maior intensidade.
O Transistor de Efeito de Campo FET de porta isolada, MOSFET ou simplesmente MOS, é um dispositivo constituído de quatro terminais: fonte (source), porta (gate), dreno (drain) e substrato ou corpo (bulk).
Em circuitos digitais, os MOSFETs são usadas preferencialmente as regiões de corte e região ôhmica. Em circuitos analógicos é usado o transístor em modo de saturação, o que costuma fazer confusão com o modo de saturação dos transístores bipolares de junção que são substancialmente diferentes.
Essa série CMOS têm a vantagem de menor consumo e ampla gama de alimentação com tensões de 3 V a 15 V . No entanto a sua velocidade é mais lenta , 1 MHz, em comparação com os 10 MHz do TTL bipolar, isso limita as suas aplicações para projetos de baixa velocidade ou estáticos.
O IGBT reúne a facilidade de acionamento dos MOSFET's e sua elevada impedância de entrada com as pequenas perdas em condução dos TBP (Transistores Bipolares de Potência). Sua velocidade de chaveamento é determinada, a princípio, pelas características mais lentas – as quais são devidas às características do TBP.
Um dos testes mais comuns para a prova de um IGBT é o teste dinâmico que consiste em se colocar como carga uma lâmpada de 40 a 100 W no seu coletor e alimentar o circuito com uma tensão de até 20 VDC. Com a comporta ligada ao emissor do transistor, ele deve permanecer no corte e com isso a lâmpada apagada.
Para os tipos básicos de IGBT e MOSFET a diferença principal está na estrutura interna. Enquanto no MOSFET a conexão de dreno está em contacto direto com a capama -n, no IGBT existe uma camada adicional +p que é justamente o elemento bipolar.
Construção do JFET Existem dois tipos de JFETs: canal N e canal P.