Os três terminais do transistor bipolar de junção são denominados base, coletor e emissor. O terminal da base é responsável por controlar o processo de condução, enquanto que o emissor e o coletor são os terminais de entrada e saída da corrente principal de condução.
Ao todo, existem três configurações de transistores existentes: o sanduíche de silício, o transistor de junção e o transistor de efeito de campo.
Os transistores bipolares são construídos pela junção de 3 camadas de Semicondutores. Existem 2 tipos: os NPN e os PNP. Estes nomes são dados em função das camadas de semicondutores. Nos transistores NPN, duas camadas N são unidas com uma camada P no meio.
Os transistores de potência possuem uma utilização e um funcionamento semelhante à dos transistores normais. No mercado existem três tipos diferentes de transistores de potência: o bipolar, o unipolar ou FET (Field Effect Transitor) e o IGBT. Cada um deles será adequado para um equipamento e uma situação específica.
Um transistor de junção bipolar é um dispositivo de três terminais no qual podemos controlar a corrente que passa por dois dos terminais através da corrente injetada no terceiro terminal. A corrente de controle é bem menor do que a corrente controlada. Ou seja, temos um efeito de amplificação de corrente.
Vgs (th) é a tensão na qual o MOSFET 'liga' até certo ponto (geralmente não muito bem). Por exemplo, pode ser 2V mínimo e 4V máximo para uma corrente de dreno de 0,25mA a Tj = 25 ° C (a matriz em si está a 25 ° C).
Na prática, a tecnologia MOSFET é utilizada em equipamentos eletrônicos para amplificar o sinal enviado pela unidade principal para alimentar os alto-falantes. Resulta assim em maior potência do som produzido.
Em dispositivos JFET canal N, a corrente de dreno (Id) é controlada aplicando-se uma tensão reversa em sua porta-fonte (GATE-SOURCE). Deste modo uma barreira é formada na camada tipo P, expandindo-a e estreitando a passagem da corrente no canal N.
VGSq = - 1,89V e IDq = 2,78mA. (Solução mais adequada). c) VDS = VDD – ID(RS + RD) = 12 – 2,78.
Região de Corte: quando VGS < Vt, onde VGS é a tensão entre a porta (gate) e a fonte (source). O transistor permanece desligado, e não há condução entre o dreno e a fonte. Enquanto a corrente entre o dreno e fonte deve idealmente ser zero devido à chave estar desligada, há uma fraca corrente invertida.
Tensão de Estrangulamento ou Tensão de Constrição (Vp): Tensão a partir da qual aumentos em Vds são compensados por aumentos proporcionais na resistência de canal, causando Ids constante.
Na região ativa, o transistor é utilizado, com a devida polarização, como amplificador. Nas regiões de corte e saturação, é utilizado como chave, ou seja, serve apenas para comutação, conduzindo ou não.
Quando um transistor está saturado ele opera como um curto (chave fechada), e quando está no corte opera como um circuito aberto (chave aberta). O transistor chaveado somente trabalhará com tensão contínua ou sinais. ... Ao acionar a chave a lâmpada acenderá e a tensão em VAB é igual a zero.
Com circuitos baseados em transistores, podemos injetar o sinal de controle na sua base para que possa ser amplificado de modo a acionar o relé. Dependendo do modelo do transistor, poderemos controlar o relé com baixa corrente, conforme o sinal de saída do circuito controlador.
Para verificar o ganho, o que fazemos é ligar o instrumento em série com o coletor e aplicar à base uma corrente de intensidade conhecida, através de um resistor. Medimos então a corrente de coletor e como conhecemos a corrente de base, podemos calibrar a escala do instrumento diretamente em termos de ganho.