Por padrão, uma corrente elétrica sempre flui do polo positivo para o polo negativo. Enquanto que na Figura 1 (c) existe uma corrente fluindo do sensor para a carga (PNP), no NPN (d) a corrente flui da carga para o sensor.
Nos Transistores de Efeito de Campo Semicondutor de Óxido Metálico, MOSFET, é como um transistor FET, porém o terminal Porta isolado demais por uma fina camada de óxido de silício, o que faz com que os transistores MOSFET tenham uma alta impedância (resistência) na entrada.
Na prática, a tecnologia MOSFET é utilizada em equipamentos eletrônicos para amplificar o sinal enviado pela unidade principal para alimentar os alto-falantes. Resulta assim em maior potência do som produzido.
Para os tipos básicos de IGBT e MOSFET a diferença principal está na estrutura interna. Enquanto no MOSFET a conexão de dreno está em contacto direto com a capama -n, no IGBT existe uma camada adicional +p que é justamente o elemento bipolar.
Todo transistor BJT tem um parâmetro chamado β ou h f e h_{fe} hfe que determina o quanto a corrente de coletor é amplificada em relação a corrente de base. Existe um modo de operação do BJT além do corte e da saturação. É o chamado modo ativo, nesta região o transistor é usado para amplificar sinais sem distorção.
Lembramos que o 2N3055 tem dissipação de 115 W e o TIP3055 uma dissipação de 90 W. O transistor 2N3055 é do tipo NPN de alta potência, sendo encontrado em invólucro metálico TO-3 com a pinagem mostrada na figura 1. Características Elétricas: * Frequência de transição.......... 1 MHz (min.)
O diodo é constituído por materiais semicondutores como por exemplo, o silício e o germânio, que são fundidos para criar uma junção PN. Nessa junção PN o P representa a polaridade positiva e o N a polaridade negativa.
O diodo semicondutor é um dispositivo eletrônico feito de silício ou germânio que tem como função transformar corrente alternada em corrente contínua.
Se a tensão no sentido direto for maior que a tensão de barreira o diodo deve estar operando como circuito aberto; Se a tensão em ambos os sentidos for zero, o diodo está em curto; Se a tensão em ambos os sentidos for superior à da barreira de potencial, o diodo está funcionando como circuito aberto.
- se nas duas leituras o ponteiro indicar infinito (não se mover) o diodo está aberto. - se o ponteiro se mover nas duas leituras mas indicar valores (ou posições na escala) diferentes, provavelmente o diodo estará com fuga. Cabe lembrar que o lado do diodo que tem uma faixa é o negativo (cátodo).
Testando o Diodo na Placa Quando medimos o diodo no sentido direto o multímetro deve mostrar o valor da tensão de barreira do diodo. No sentido reverso o multímetro mede aberto (OPEN; OL; 1.) ou um valor maior que a tensão de barreira.
Método: 1. Selecionar a função medição de resistência no multímetro. 2. Conectar o positivo do multímetro no gate e o negativo no catodo do tiristor 1, o valor medido deve ser de até 40Ω (válido para componentes de potência fabricados pela SEMIKRON), não podendo estar em curto.
Como testar um Triac?
a)Desligue o diac do circuito em que se encontra e ligue-o no circuito de prova. Lembramos que esses componentes não possuem polaridade. b)Ligue o instrumento de prova na saída do circuito. c)Alimente o circuito e aumente a tensão gradualmente observando a tensão indicada ou a forma de onda.
Se a lâmpada não acender, aperte S1. Ao apertar S1 a lâmpada deve acender com seu brilho normal. Deve apagar quando S1 for solto. Se isso não acontecer, permanecendo a lâmpada apagada quando S1 for pressionado, o Triac se encontra aberto.