Qual a definição da energia de band gap de materiais semicondutores ou isolantes? A. É a variação de energia entre o limite máximo da banda de condução e o limite máximo da banda de valência.
Para considerar o conceito de MASSA EFETIVA, temos que supor a movimentação (ou dispersão) de partículas "reais", dentro de um material de estudo, sujeitas interações da energias potenciais das diversas partículas vizinhas. Ou seja, não é um caso de partículas livres no espaço.
Uma região neutra, onde apenas se encontram íons positivos e negativos fixos na estrutura cristalina. No lado N da junção, existe uma quantidade maior de elétrons na banda de condução do que lacunas, neste caso os elétrons são chamados portadores majoritários, e as lacunas os portadores minoritários.
O processo de dopagem de semicondutores refere-se à adição, ao cristal intrínseco, de pequena quantidade de impureza, com propriedades adequadas, de forma a afetar o comportamento elétrico do semicondutor da maneira desejada.
A 25°C, esta barreira de potencial é aproximadamente igual a 0,7 V para os diodos de silício; • Diodo de germânio tem barreira de potencial de 0,3 V.
Apenas uma pequena quantidade de impurezas é necessária para criar elétrons livres o suficiente para permitir que uma corrente elétrica flua pelo silício. O silício tipo N é um bom condutor. Os elétrons possuem uma carga negativa, daí o nome tipo N.