Cristais semicondutores dopados do tipo P apresentam lacunas como portadores majoritários de carga elétrica (elétrons sendo minoritários). Já o contrário ocorre com os cristais semicondutores dopados do tipo N, que apresentam elétrons como portadores majoritários de carga elétrica (sendo as lacunas os minoritários).
Em um semicondutor do tipo p, os portadores majoritários são buracos e os portadores minoritários são elétrons. No semicondutor do tipo n, os elétrons são portadores majoritários e os buracos são portadores minoritários.
Semicondutor extrínseco do tipo N: Os elétrons excedentes se movem pelo material. Semicondutor extrínseco do tipo P: O excesso de cargas positivas equivale à existência com facilidade de “buracos” que propiciam a movimentação de elétrons e a condução da eletricidade.
O diodo é construído a partir de materiais semicondutores, como o silício ou o germânio, que são fundidos para criar uma junção PN, sendo que P representa a polaridade positiva e N, a negativa. A polaridade positiva P de um diodo é onde há falta de elétrons, sendo essa região também chamada de lacuna ou buraco.
Princípio de funcionamento. Quando um bloco de silício tipo N e um outro bloco de silício tipo P são colocados em contato íntimo (junção metalúrgica) os portadores de carga (elétrons e lacunas) em excesso de lado N e do Lado P se neutralizam através do processo de difusão.
No lado N da junção, existe uma quantidade maior de elétrons na banda de condução do que lacunas, neste caso os elétrons são chamados portadores majoritários, e as lacunas os portadores minoritários. Além disso existem íons positivos gerados pela presença de dopantes doadores no material tipo n.
A 25°C, esta barreira de potencial é aproximadamente igual a 0,7 V para os diodos de silício; • Diodo de germânio tem barreira de potencial de 0,3 V.
A maneira mais fácil e óbvia de descobrir a tensão de um diodo Zener é olhar o código impresso ou as faixas coloridas no corpo do mesmo e consultar a Internet.