O amplificador operacional é um componente eletrônico capaz de amplificar sinais e realizar operações com eles, que podem ser somas, subtrações, multiplicações e divisões, sendo amplamente utilizado em circuitos eletrônicos para diversas operações lógicas., sendo uma grande base para os sistemas digitais.
O amplificador operacional ideal tem um ganho infinito em malha aberta, largura de banda infinita, impedância de entrada infinita, impedância de saída nula e nenhum ruído, assim como offset de entrada é zero (exatamente 0 V na saída quando as duas entradas forem exatamente iguais) e nenhuma interferência térmica.
A configuração básica de um amplificador somador usando um amplificador operacional é mostrada na figura 5. A tensão de saída é dada pela soma algébrica das tensões de entrada, multiplicada pela relação entre R2 e R1....Fórmulas para amplificadores operacionais (M251)
O amplificador de áudio consiste em um equipamento que tem a capacidade de ampliar o sinal elétrico recebido, ou seja, ele consegue expandir a potência ou o volume de um som, que pode ser um instrumento musical ou o áudio para TV.
1- Implementar amplificadores com mais de um estágio. O ganho final será o produto dos ganhos individuais. Assim, se o primeiro estágio tiver um ganho de 8 e o segundo estagio um ganho de 10, teremos um amplificador com o ganho total de 80x.
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Portanto, como você não especificou a saída de potência, a carga do alto-falante ou os trilhos de tensão, eu diria que um estágio de saída de potência BJT é provavelmente a melhor escolha. Quanto aos outros transistores, eu ficaria com os BJTs - eles foram usados em dezenas de milhares de bons projetos comerciais.
Para os tipos básicos de IGBT e MOSFET a diferença principal está na estrutura interna. Enquanto no MOSFET a conexão de dreno está em contacto direto com a capama -n, no IGBT existe uma camada adicional +p que é justamente o elemento bipolar.
O funcionamento do FET é através do efeito de campo. Sendo um transistor de efeito unipolar aonde a condução de corrente acontece por apenas um tipo de portador (elétron ou lacuna).
Região de Corte: quando VGS < Vt, onde VGS é a tensão entre a porta (gate) e a fonte (source). O transistor permanece desligado, e não há condução entre o dreno e a fonte. Enquanto a corrente entre o dreno e fonte deve idealmente ser zero devido à chave estar desligada, há uma fraca corrente invertida.