∎ A reta de carga possui todos os pontos de operação do circuito, considerando as características do transistor. Observe que a tensão de saída depende diretamente de β (ganho do transistor). ... O transistor pode ir da região ativa para a de saturação.
Os transistores MOSFETs são dispositivos controlados por tensão, pois um sinal positivo na porta de um transistor do canal N, cria um campo elétrico que atrai elétrons na região semicondutora, formando o canal de condução.
A tensão de limiar (Vth) é um dos parâmetros mais básicos de um transistor MOSFET e é definida como a mínima tensão aplicada à porta (VG) necessária para que haja a formação de uma camada de inversão, formada por portadores minoritários, que conecta as regiões de dreno e fonte, permitindo a passagem de corrente.
Um FET para uso geral apresenta três terminais: porta (gate), fonte (source) e dreno (drain), que permitem seis formas de polarização, sendo três as mais usadas: fonte comum (fonte ligado à entrada e saída simultaneamente), porta comum (porta ligada à entrada e saida simultaneamente) e dreno comum (dreno ligado à ...
O IGBT reúne a facilidade de acionamento dos MOSFET's e sua elevada impedância de entrada com as pequenas perdas em condução dos TBP (Transistores Bipolares de Potência). Sua velocidade de chaveamento é determinada, a princípio, pelas características mais lentas – as quais são devidas às características do TBP.