O transistor é um dispositivo semicondutor de três camadas, muito utilizado na construção de chips eletrônicos para as mais variadas aplicações. Composto principalmente de silício ou germânio, o transistor é empregado em processos de amplificação e produção de sinais e em operações de chaveamento.
Os transistores podem ser divididos em função do seu tipo e da sua aplicação. Entre os diversos tipos de transistores existentes no mercado, os transistores bipolares de junção e os transistores de efeito de campo são os mais utilizados.
Eletricista desde 2006, Henrique Mattede também é autor, professor, técnico em eletrotécnica e engenheiro eletricista em formação. É educador renomado na área de eletricidade e um dos precursores do ensino de eletricidade na internet brasileira. Já produziu mais de 1000 videoaulas no canal Mundo da Elétrica no Youtube, cursos profissionalizantes e centenas de artigos técnicos. O conteúdo produzido por Henrique é referência em escolas, faculdades e universidades e já recebeu mais de 120 milhões de acessos na internet.
O princípio de funcionamento básico de um transistor, quando o mesmo é acionado através da tensão de alimentação, é permitir que passe uma corrente por um resistor em sua base, desta forma o próximo componente do circuito é alimentado. Para que isso aconteça o transistor necessariamente deve receber uma tensão em sua base, o resistor citado está presente para proteger o transistor de correntes e tensões de surto.
Geralmente os transistores são feitos de silício ou germânio, e são construídos a partir da união de três materiais semicondutores, que são obtidos pela adição de impurezas. Os transistores possuem três camadas alternadas entre camada tipo P e camada tipo N, ou seja, duas camadas de material do tipo N e uma camada do Tipo, ou duas camadas do tipo P e uma camada do tipo N.
O FET é um dispositivo unipolar, ou seja, sua condução envolve apenas um tipo de carga por vez. Não há junções PN definindo o tipo de carga conduzida, apenas um canal semicondutor de ligação entre source e drain. Essa característica origina os dois principais tipos de FET, os de canal N (conduzem elétrons) e os de canal P (conduzem lacunas).
Em 1947, nos laboratórios de tecnologia da empresa norte-americana Bell Telephone foi desenvolvido por William Shockley, John Bardeen e Walter o primeiro transistor. No ano seguinte eles foram laureados com o prêmio Nobel de Física, por causa da enorme evolução tecnológica que os transistores causaram.
Eletricista desde 2006, Henrique Mattede também é autor, professor, técnico em eletrotécnica e engenheiro eletricista em formação. É educador renomado na área de eletricidade e um dos precursores do ensino de eletricidade na internet brasileira. Já produziu mais de 1000 videoaulas no canal Mundo da Elétrica no Youtube, cursos profissionalizantes e centenas de artigos técnicos. O conteúdo produzido por Henrique é referência em escolas, faculdades e universidades e já recebeu mais de 120 milhões de acessos na internet.
O transistor NPN possui uma corrente que é composta majoritariamente de elétrons, enquanto o transistor PNP a corrente é composta majoritariamente de cargas positivas (lacunas). Vale a pena destacar que nas duas situações também existe o fluxo de cargas minoritárias.
A desvantagem deles é ter baixa impedância de entrada, e poderem extrair corrente significativa de um circuito, perturbando assim a fonte de alimentação. Os transistores de pequenos sinais são transistores usados principalmente para amplificar sinais de baixo nível, mas também podem funcionar bem como interruptores.
Pelo fato de o TBJ ser um dispositivo com três camadas alternadas, é possível formar duas junções de materiais semicondutores, obtendo as junções base-coletor e base-emissor. Ao polarizar o transistor de maneira correta, as junções PN podem ser consideradas como dois diodos, ou seja, a junção base-coletor é considerada um diodo polarizado inversamente e a junção base-emissor equivale a um diodo polarizado diretamente.
Especificação
Máxima tensão de coletor [VCEO] | -45V |
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Maxima tensão base emissor [VEBO] | -5V |
Máxima corrente de coletor [IC] | -1,5A |
Ganho [hfe] | |
Potência | 8W |
Esses transistores são os únicos que são ativados pela entrada de corrente em sua base. A baixa impedância (ou resistência) permite que a corrente flua através da base do transistor. Devido a esta baixa impedância também estes transistores tem a maior amplificação de todos. A desvantagem deles é ter baixa impedância de entrada, e poderem extrair corrente significativa de um circuito, perturbando assim a fonte de alimentação.
Transistor de força é muito utilizado em circuitos de correntes altas, onde muita energia está sendo usada (corrente e tensão). O coletor do transistor é conectado a uma base de metal que atua como um dissipador de calor para dissipar o excesso de energia.
Trata-se de um transistor que funciona com a maior quantidade de energia de um circuito. ... Geralmente, são transistores de saída ou transistores chaveadores, pois esses são o que consomem a maior parte de energia de um circuito.
O transistor de efeito de campo é constituídos por três terminais, sendo uma porta, uma fonte e um dreno. Este transistor é controlado pela tensão elétrica, essa tensão quando colocada na porta faz com que uma corrente elétrica flua da fonte para o dreno do transistor. Este transistor também pode ser encontrado no modo NPN ou PNP.
Por apresentar esse comportamento entre suas junções, o transistor bipolar de junção possui três regiões de operação diferentes, dependentes do tipo de polarização aplicada entre seus terminais. A região ativa de operação ocorre quando a junção base-emissor esta polarizada diretamente e a base-coletor esta polarizada inversamente. A região de saturação ocorre quando ambas as junções estão polarizadas diretamente. Já a região de corte ocorre quando ambas as junções estão inversamente polarizadas, não havendo a circulação de corrente entre coletor e emissor.
O terminal da base é encarregado de controlar a condução da corrente elétrica, enquanto os terminais coletor e emissor são os responsáveis pela entrada e saída do principal fluxo de corrente.
JFET é a sigla em inglês para Junction Field Effect Transistor, que traduzindo quer dizer transistor de Junção de Efeito de Campo. Abaixo temos as simbologias do JFET, tanto para canal N quanto canal P.
Sabendo disso, o Manual da Eletrônica trouxe este conteúdo completo sobre transistores. Aqui você vai aprender o que é um transistor, como funciona um transistor, quais são as características e as aplicações dos transistores. Então vamos lá!